描述
mmbt3906lt1g
两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP
否
STMicroelectronics
PNP 集电极—基极电压
集电极—发射极最大电压
- 40 V 发射极 - 基极电压
- 6 V
直流集电极/Base Gain hfe
100 A
SMD/SMT
PowerFLAT 2 x 2
MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
ONSEMI
6
97 kb
General Purpose Transistor(PNP Silicon)